据Tomshardware引述TF International Securities 分析师Ming-Chi Kuo的报说念，因为阛阓对Nvidia(NVDA.US)顶端Blackwell双芯片假想的需求正在卓绝Nvidia的低端单芯片假想是以这家市值万亿好意思元的GPU制造巨头还是更新了其Blackwell架构阶梯图买球下单平台，优先商酌继承CoWoS-L封装的双芯片假想。

图注：英伟达此前公布的阶梯图

报说念进一步指出，从本年第一季度运行，Nvidia将专注于其 200 系列 Blackwell GPU。但值得扎眼的是，这仅包括 200 系列的多芯片版块，举例 GB200 NVL72 — 200 系列的单芯片版块，举例 B200A，还是停产。

雷同，Nvidia 昭彰主义优先商酌期骗多芯片的B300系列型号，尤其是 GB300 NVL72。由于对多芯片变体的需求较高，仅使用单个芯片的 B300 GPU 变体在制造中将处于低优先级。Nvidia 的高优先级 Blackwell GPU 型号使用台积电(TSM.US)更先进的 CoWoS-L 时刻。已停产的 B200A 和单芯片 B300 GPU 王人使用 CoWoS-S。

Ming-Chi Kuo示意，由于这些变化，某些供应商将受到“突出严重的打击”。

英伟达阶梯图，变了哪些?

按照此前的先容，英伟达有继承双芯片假想200 系列，该系列包括 GB200 NVL72 和 HGX B200 等系统居品，使用 CoWoS-L 制造。

Nvidia 示意，新款 B200 GPU 领有 2080 亿个晶体管，可提供高达 20 petaflops的 FP4 马力。此外，它示意，将两个 GPU 与单个 Grace CPU 连续合的 GB200 不错为 LLM 推理责任负载提供30倍的性能，同期还可能显赫提高效果。据泄露，与 H100 比较，它“将资本和能耗镌汰了25倍。

但Ming-Chi Kuo指出，200 系列不包括此前使用CoWoS-S工艺的单芯片版块B200A，因此它们不需要 CoWoS-S。

分析机构SemiAnalysis此曾示意，Nvidia 主义推出一款名为 B200A 的新式 Blackwell GPU，它将是已推迟发布的 B200 GPU 的低端替代品。他们在一份敷陈中示意，B200A 将包含高达 144GB 的 HBM3E 内存，并奢靡高达 1000 瓦的功率，能骄矜对低端和中端 AI 系统的需求。按照领先有筹算，B200A GPU 将用于 MGX GB200A NVL36 等做事器，该做事器最多支撑 36 个 GPU。这可能会蛊惑那些但愿构建较小 AI 模子的超大限制客户。

值得一提的是，B200A 将基于名为 B102 的die，“该die也将用于中国版 Blackwell的B20”。

但面前，如Ming-Chi Kuo所说，英伟达的策略变了。他进一步指出，从 2025 年 1 季度运行，Nvidia 将重心转向 200 系列，同期减少 H 系列的供应。这将进一步减少他们对 CoWoS-S 的需求。

在Ming-Chi Kuo的分析敷陈中，还对英伟达翌日的B300进行了分析。他示意，该系列原本有筹算了双芯片(CoWoS-L)和单芯片(CoWoS-S)假想，包括 GB300 NVL72(双芯片)和 HGX B300 NVL16(单芯片)等系统。

雷同是SemiAnalysis的音讯炫耀，Nvidia 的 B300 系列处理器继承了经过大幅退换的假想，仍将继承台积电的 4NP 制造工艺(针对 Nvidia 进行优化的 4nm 级节点，性能增强)，但敷陈称，它们的计较性能将比 B200 系列处理器跨越 50%。性能莳植的代价是高达 1,400W 的 TDP，仅比 GB200 高 200W。SemiAnalysis 称，B300 将在 B200 上市约略半年后上市。

Nvidia B300 系列的第二项首要订恰是使用 12-Hi HBM3E 内存堆栈，可提供 288 GB 内存和 8 TB/s 带宽。增强的内存容量和更高的计较婉曲量将完了更快的考研和推理，推理资本最多可镌汰三倍，因为 B300 不错处理更大的批量大小并支撑扩展的序列长度，同期处治用户交互中的延长问题。

除了更高的计较性能和更大的内存外，Nvidia 的第二代 Blackwell 机器还可能继承该公司的 800G ConnectX-8 NIC。该 NIC 的带宽是面前 400G ConnectX-7 的两倍，何况有 48 个 PCIe 通说念，而其前代居品唯有 32 个。这将为新做事器提供显着的横向扩展带宽考订，这对大型集群来说是一个得胜。

据先容，B300 和 GB300 的另一个首要订恰是，与 B200 和 GB200 比较，Nvidia 据称将重新假想所有这个词这个词供应链。该公司将不再试图销售所有这个词这个词参考主板或所有这个词这个词做事器机箱。违抗，Nvidia 将只销售搭载 SXM Puck 模块、Grace CPU 和 Axiado 主机不休适度器 (HMC) 的 B300。因此，将允许更多公司参与 Blackwell 供应链，这有望使基于 Blackwell 的机器更容易取得。

借助 B300 和 GB300，Nvidia 将为其超大限制和 OEM 互助伙伴提供更多假想Blackwell 机器的解放，这将影响它们的订价致使性能。

不外，Ming-Chi Kuo指出，天然基于 B300 的系统主义于 2026 年大限制出货，但 Nvidia 和 CSP 面前更嗜好使用CoWoS-L封装的GB300 NVL72 。天然也使用单芯片、CoWoS-S封装 B300 系统，但 GB300 NVL72 将优先商酌。

因此，对 CoWoS-L 的需求比对 CoWoS-S 的需求更为紧迫。

为此，Ming-Chi Kuo指出，居品阶梯图的这些滚动将在不同进程上影响 Nvidia 尽头供应链互助伙伴的进展。某些供应商将受到突出严重的打击，导致其股价近期出现大幅回调。不外，从 Nvidia 的角度来看，CoWoS-S 推广的放缓/减少主如果由居品阶梯图的变化而不是需求下滑所致。这一变化也与台积电将其 CoWoS-L 时刻扩充为主流处治有筹算的战术主义井水不犯河水。

CoWoS-L和CoWoS-S，有何不同?

在上头的先容中，咱们看到了对于CoWoS-L和CoWoS-S的状貌。这其实是英伟达CoWoS平台的两个版块。

据先容，CoWoS是Chip-on-wafer-on-substrate的简写。看成一种先进的封装时刻，CoWoS具有封装尺寸更大和 I/O 指引更多等上风。它允许 2.5D 和 3D 组件堆叠，以完了同质和异构集成。以前的系统靠近内存甘休，而现代数据中心则使用高带宽内存 (HBM) 来增强内存容量和带宽。CoWoS 时刻允许在合并 IC 平台上异构集成逻辑 SoC 和 HBM。

传统上，按照摩尔定律对晶体管进行限制化有助于骄矜提高性能的需求。可是，事实讲授，这对于高性能计较 (HPC)、东说念主工智能致使图形处理单位 (GPU) 等现代应用而言是不够的。CoWoS 允许在合并基板上堆叠芯片，从而减少同质或异构逻辑 SoC 之间以及 HBM 之间的互连延长。

与此同期，硅中介层和有机中介层的使用大大增强了堆叠集成电路的热管明智商。这径直提高了所有这个词这个词系统的可靠性和使用寿命，同期最大律例地镌汰了热节流的风险。

此外，中介层中的电源/接地收集使用 RDL，并连合深槽电容器 (DTC)，不会损伤高速应用和内存密集型应用的电源齐全性。

正因为CoWoS 时刻有助于在合并中介层和基板上装配多个逻辑 SoC 和 HBM。这与传统封装时刻造成昭彰对比，传统封装时刻往常需要将多个逻辑 SoC 装配在印刷电路板 (PCB) 上，并在封装中进行必要的指引。这导致封装尺寸更大，并增多了材料资本和制造用度。CoWoS 封装总体上更小，更具资本效益。

跟着AI的火热，CoWoS需求大增，这就鼓励台积电大幅扩充CoWoS。据经济日报在本年齿首报说念，台积电正积极提高 CoWoS 先进封装产能，预估 2025 年产能接近翻倍，达到每月 7.5 万片晶圆，而且因阛阓需求坚决，会在 2026 年不时提高产能。

具体而言，如下图所示，CoWoS有以下三个版块，当中就包括了CoWoS-L和CoWoS-S。

台积电先容说，CoWoS -S(Chip on Wafer on Substrate with silicon interposer)平台为超高性能计较应用(如东说念主工智能 (AI) 和超等计较)提供一流的封装时刻。该晶圆级系统集成平台在大型硅中介层区域上提供高密度互连和深沟槽电容器，以容纳各式功能性顶部芯片/芯片，包括逻辑芯片，其上堆叠有高带宽内存 (HBM) 立方体。面前，高达 3.3X 光罩尺寸(或 ~2700mm²)的中介层已准备好参预分娩。

CoWoS -R(Chip on Wafer on Substrate with silicon interposer with fan-out RDL interposer)是 CoWoS 先进封装系列的成员之一，该系列期骗再溜达层 (RDL) 中介层看成片上系统 (SoC) 和/或高带宽内存 (HBM) 之间的互连，以完了异构集成。RDL 中介层由团聚物和铜线构成，相对天真。这增强了 C4 究诘的齐全性，并允许封装扩展其尺寸以骄矜特殊复杂的功能需求。

CoWoS -L 则是 CoWoS(晶圆上芯片)平台上的芯片终末封装之一。它连合了 CoWoS -S 和 InFO(集成扇出)时刻的优点，使用中介层和局部硅片互连 (LSI) 芯片完了芯片间互连，并使用 RDL 层完了电源和信号传输，从而提供最天果然集成。

CoWoS -L 的 主要特色包括：

1、LSI 芯片用于通过多层亚微米铜线完了高布线密度芯片间互连。LSI 芯片不错在每个居品中继承各式指引架构，举例片上系统 (SoC) 到 SoC、SoC 到芯片组、SoC 到高带宽内存，何况不错在多种居品中叠加使用。相应的金属类型、层数和间距与 CoWoS -S 的居品一致。

2、基于成型的中介层在正面、后头和传输信号和电源的 InFO 通孔 (TIV) 上具有较宽的 RDL 层间距，可在高速传输过程中镌汰高频信号的损耗。

3、草率在 SoC 芯片下方集成寂寞镶嵌式深沟槽电容器等附加元素，以改善电源不休。

写在终末

日前，台媒就有音讯指出，有大客户砍掉台积电的CoWoS订单，郭明淇的音讯，让这个新闻有了另一维度的知道。

郭明淇示意，天然 CoWoS-S 推广速率正在放缓，但 CoWoS-R 产能正在增多。他同期提到，对于台积电来说，从 B200 到 B300 的过渡波及换取的 FEoL 经过。BEoL 变更不错通过 ECO 进行不休。

因此台积电将它们视为换取的居品，居品过渡的时刻对台积电来说并不环节。

本文转载自“半导体行业不雅察”公众号，智通财经裁剪：蒋远华。

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